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摘要:
小尺寸MOSFET的强场性、场畸变性和漏区尺度比例的增大,使它的分布效应增强.更准确地描述小尺寸器件的栅电流需要分布模型.本文依据"幸运电子"概念,基于我们已创建的沟道和衬底电流的二维分布模型,建立了NMOSFET的电子和空穴栅电流的分布模型.空穴栅电流的分布模型是基于负纵向场加速的新的发射物理过程建立的.所建分布模型包含了更祥尽的热载流子向栅发射的物理过程,这将有利于MOSFET热载流子的损伤分布、损伤生长性和饱和性的建模.
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文献信息
篇名 MOSFET栅电流分布的理论建模
来源期刊 电子学报 学科 工学
关键词 电子栅电流 空穴栅电流 分布模型
年,卷(期) 1999,(10) 所属期刊栏目 科研通信
研究方向 页码范围 124-127
页数 分类号 TM4
字数 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0372-2112.1999.10.036
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郝跃 西安电子科技大学微电子学所 312 1866 17.0 25.0
2 汤玉生 上海交通大学微电子技术研究所 10 76 6.0 8.0
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电子栅电流
空穴栅电流
分布模型
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大16开
北京165信箱
2-891
1962
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