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MOSFET栅电流分布的理论建模
MOSFET栅电流分布的理论建模
作者:
汤玉生
郝跃
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
电子栅电流
空穴栅电流
分布模型
摘要:
小尺寸MOSFET的强场性、场畸变性和漏区尺度比例的增大,使它的分布效应增强.更准确地描述小尺寸器件的栅电流需要分布模型.本文依据"幸运电子"概念,基于我们已创建的沟道和衬底电流的二维分布模型,建立了NMOSFET的电子和空穴栅电流的分布模型.空穴栅电流的分布模型是基于负纵向场加速的新的发射物理过程建立的.所建分布模型包含了更祥尽的热载流子向栅发射的物理过程,这将有利于MOSFET热载流子的损伤分布、损伤生长性和饱和性的建模.
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文献信息
篇名
MOSFET栅电流分布的理论建模
来源期刊
电子学报
学科
工学
关键词
电子栅电流
空穴栅电流
分布模型
年,卷(期)
1999,(10)
所属期刊栏目
科研通信
研究方向
页码范围
124-127
页数
分类号
TM4
字数
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0372-2112.1999.10.036
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
郝跃
西安电子科技大学微电子学所
312
1866
17.0
25.0
2
汤玉生
上海交通大学微电子技术研究所
10
76
6.0
8.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
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共引文献
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参考文献
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节点文献
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(0)
二级引证文献
(0)
1977(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1984(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1985(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1987(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1990(2)
参考文献(1)
二级参考文献(1)
1991(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1994(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1995(3)
参考文献(1)
二级参考文献(2)
1996(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1999(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1999(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2010(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2014(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
电子栅电流
空穴栅电流
分布模型
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子学报
主办单位:
中国电子学会
出版周期:
月刊
ISSN:
0372-2112
CN:
11-2087/TN
开本:
大16开
出版地:
北京165信箱
邮发代号:
2-891
创刊时间:
1962
语种:
chi
出版文献量(篇)
11181
总下载数(次)
11
总被引数(次)
206555
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