高k介质纳米MOSFET栅电流和电容模型

• 作者: 孙建平 王伟 顾宁
• 来源期刊: 南京邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 高k 栅电流 量子模型
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 6-10
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2699字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5439.2006.06.002

摘要

介绍了一种纳米MOSFET(场效应管)栅电流和电容的统一模型,该模型基于Schr(o)dinger-Poisson方程自洽全量子数值解,特别适用于高k栅介质和多层高k栅介质纳米MOSFET.运用该方法计算了各种结构和材料高k介质的MOSFET栅极电流,并进行了分析比较.模拟得出栅极电流和电容与实验结果符合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾宁	东南大学分子与生物分子电子学教育部重点实验室	182	1683	20.0	32.0
2	王伟	南京邮电大学光电工程学院	129	949	16.0	25.0
6	孙建平	美国密西根大学电气工程和计算机科学系	5	22	3.0	4.0