一种100V分离栅沟槽MOSFET的优化设计

• 作者: 杨尊松 王立新 王路璐 罗小梦
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 分离栅 MSO结构 特征导通电阻 特征栅漏电荷
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 页码范围: 11-15
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

把多个侧壁阶梯氧化层应用于分离栅沟槽MOSFET(Split-Gate Trench MOSFET,SGT结构),并把改进的结构称为多阶梯侧壁氧化层分离栅沟槽MOSFET(Multi-Step Sidewall Oxides Split-Gate Trench MOSFET,MSO结构),之后介绍了MSO结构的器件结构和制备工艺,重点借助TCAD仿真软件对MSO结构的外延层掺杂浓度、顶部侧氧厚度与底部侧氧厚度进行优化,最终仿真得到击穿电压为126V,特征导通电阻为30.76 mΩ·mm2和特征栅漏电荷为0.351 nC· mm-2的MSO结构.在近似相等的击穿电压下,与传统SGT结构相比,MSO结构的特征导通电阻及特征栅漏电荷均有所降低,这两项参数综合反映器件的优值(FOM=Qgd,sp×RonA)降低了39.6％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王立新	中国科学院微电子研究所	97	1160	17.0	30.0
5	罗小梦	中国科学院微电子研究所	3	4	1.0	2.0
14	杨尊松	中国科学院微电子研究所	4	16	2.0	4.0
23	王路璐	中国科学院微电子研究所	4	8	2.0	2.0