100V高压CMOS工艺关键技术的研究

• 作者: 夏洋 宋李梅 李桦 杜寰 海潮和 韩郑生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高压CMOS工艺 双栅氧工艺 兼容性
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1900-1905
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 字数: 1815字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.11.003

摘要

提出了一种新的双栅氧(dual gate oxide,DGO)工艺,有效提高了薄栅氧器件与厚栅氧器件的工艺兼容性,同时提高了高低压器件性能的稳定性.在中国科学院微电子研究所0.8μm n阱标准CMOS工艺基础上设计出高低压兼容的100V高压工艺流程,并流片成功.实验结果表明,高压n管和高压p管的关态击穿电压分别为168和-158V,可以在100V高压下安全工作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
3	宋李梅	中国科学院微电子研究所	18	56	5.0	5.0
4	李桦	中国科学院微电子研究所	6	36	3.0	6.0
5	杜寰	中国科学院微电子研究所	41	108	5.0	6.0
6	夏洋	中国科学院微电子研究所	67	325	9.0	14.0