MOSFET栅漏电流噪声模型研究

• 作者: 杜磊 赖忠有
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 栅漏电流 栅介质 噪声模型
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 53-55
• 页数: 3页
• 分类号: TN303
• 字数: 2820字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2009.10.016

摘要

随着MOSFET尺寸的不断减小,栅漏电流对器件特性的影响日益明显.栅漏电流噪声一方面影响器件性能,另一方面可用于栅介质质量表征,因此对其研究备受关注.由于栅介质噪声研究具有重要意义,文献中已经建立起各种各样的噪声模型,文中对其进行了归纳整理.在此基础上分析了各种模型的特性和局限性,进而探讨了其应用范围.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜磊	西安电子科技大学技术物理学院	99	486	13.0	18.0
2	赖忠有	西安电子科技大学技术物理学院	1	1	1.0	1.0