纳米MOSFET器件电流噪声测试方法研究

• 作者: 丁兵 何亮 贾晓菲 陈文豪
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米MOSFET 噪声测试 低温装置 电流噪声 散粒噪声 热噪声
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 45-48
• 页数: 4页
• 分类号: TN407
• 字数: 2639字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.12.010

摘要

针对常规纳米尺度电子元器件的噪声特性,研究其噪声的基本测试条件,并建立测试系统.在屏蔽条件下采用低温装置和超低噪声前置放大器,能有效抑制外界干扰.应用该系统对实际纳米MOSFET器件进行噪声测试得到其电流噪声,在测试基础上通过计算分别得到热噪声和散粒噪声,同时分析器件工作在亚阈区和反型区下的电流噪声随源漏电压和电流的变化关系.结果表明测试结果与理论分析吻合,验证了测试系统的准确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何亮	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	36	212	7.0	14.0
2	贾晓菲	安康学院电子与信息工程学院	8	4	1.0	2.0
3	丁兵	安康学院电子与信息工程学院	13	12	2.0	3.0
4	陈文豪		4	6	2.0	2.0