短沟道MOSFET散粒噪声测试方法研究

• 作者: 杜磊 郑磊 陈文豪
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 散粒噪声 扩散电流 沟道噪声 低温装置
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 电子·电路
• 页码范围: 101-103
• 页数: 3页
• 分类号: TN407
• 字数: 2128字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2009.11.028

摘要

针对MOSFET散粒噪声难以测量的特点,提出了一种低温散粒噪声测试方法.在屏蔽环境下,将被测器件置于低温装置内,有效抑制了外界电磁波和热噪声的干扰,采用背景噪声足够低的放大器以及偏置器、适配器等,建立低温散粒噪声测试系统.应用本系统对短沟道MOSFET器件进行噪声测试,分析该器件散粒噪声的特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜磊	西安电子科技大学技术物理学院	99	486	13.0	18.0
2	陈文豪	西安电子科技大学技术物理学院	15	128	6.0	11.0
3	郑磊	西安电子科技大学技术物理学院	1	4	1.0	1.0