弹道MOSFET中栅隧穿电流的自洽计算

• 作者: 周松 蒋建飞 蔡琪玉
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 非平衡Green函数 模式表象 隧穿 MOSFET数值模拟
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 301-303
• 页数: 3页
• 分类号: TN301
• 字数: 3460字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2005.02.026

摘要

本文用非平衡Green函数方法和模式表象技术对弹道MOSFET中的栅隧穿电流进行了研究.为了简化计算,我们把栅分解成一系列的小栅并用相应的自能项来概括它们.计算结果表明栅电势和栅绝缘层厚度是起主导作用的因素.尽管沟道区态密度的复杂变化和硅层的厚度对栅隧穿电流也有影响,但并不显著.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋建飞	上海交通大学微纳米科学技术研究院	7	19	3.0	4.0
2	蔡琪玉	上海交通大学微纳米科学技术研究院	7	19	3.0	4.0
3	周松	上海交通大学微纳米科学技术研究院	7	27	4.0	5.0