自对准栅型谐振隧穿晶体管试制

• 作者: 冯震 张雄文 李亚丽 郭维廉 齐海涛
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 谐振隧穿晶体管(RTT) 负阻 自对准工艺
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 先进制造与自动化技术
• 页码范围: 1153-1156
• 页数: 4页
• 分类号: TN91
• 字数: 3552字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.2007.11.011

摘要

针对谐振隧穿二极管(RTD)在通用电路应用中的局限性,提出并设计了自对准栅型谐振隧穿晶体管结构,进行了材料的分子束外延,采用传统湿法腐蚀、金属剥离、台面隔离和空气桥互连工艺,初步研制出具有较明显栅控能力的谐振隧穿晶体管(RTT)单管,其峰值电流密度高达80.8 kA/cm2,峰谷电流比为3.6,负阻阻值在20Ω左右.研究还发现,器件的峰值电流随栅压增大而减小,谷值电流随栅压增大而增大,而且出现零点分离.这些现象与栅的纵向位置控制不当有关,可以通过减小栅间发射极宽度,缩短栅与势垒层距离,和减小发射层掺杂浓度得到改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭维廉	天津大学电子信息工程学院	145	419	10.0	12.0
2	齐海涛	天津大学电子信息工程学院	27	319	10.0	17.0
4	冯震	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	32	3.0	5.0
5	李亚丽	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	12	2.0	3.0
8	张雄文	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	4	1.0	2.0