InGaAs/InP APD探测器光电特性检测

• 作者: 归强 杨国华 王国宏 肖雪芳 陈朝 陈良惠 马晓宇
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 静态光电特性的自动测试系统 雪崩光电二极管 大面积APD 倍增因子
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 光电子学工程与应用
• 页码范围: 460-463
• 页数: 4页
• 分类号: TN312
• 字数: 3297字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2008.03.040

摘要

建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统.利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试.测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151nA,在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性良好.提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法,只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器,就可以获得开始倍增时的光电流,从而得到APD的倍增因子.通过该方法得到的InGaAs/InP APD器件最大倍增因子的典型值在10~100量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈朝	厦门大学物理系	63	420	11.0	18.0
2	陈良惠	中国科学院半导体研究所	59	338	11.0	15.0
3	王国宏	中国科学院半导体研究所	41	1911	17.0	41.0
4	马晓宇	中国科学院半导体研究所	6	36	4.0	6.0
5	杨国华	中国科学院半导体研究所	11	72	3.0	8.0
6	肖雪芳	中国科学院半导体研究所	2	18	2.0	2.0
7	归强	中国科学院半导体研究所	1	15	1.0	1.0