太赫兹InP HEMT器件的建模

• 作者: 何美林 刘亚男 崔玉兴 胡志富
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太赫兹 磷化铟 高电子迁移率晶体管 建模
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 太赫兹科学技术
• 页码范围: 349-353
• 页数: 5页
• 分类号: TN321
• 字数: 1878字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201703.0349

摘要

采用减小栅长(Lg)的方法可以显著提高磷化铟基高电子迁移率晶体管(InP HEMT)器件的直流和微波性能,并使器件的工作频率上升到太赫兹频段.采用T形栅工艺制备了70 nm栅长的InP HEMT器件,器件的直流跨导达到了2.87S/mm,截止频率ft和最大振荡频率fmax分别为230 GHz和310 GHz.对器件的寄生参数进行了提取和去嵌入,得到了器件的本征S参数.采用经典的9参数模型拓扑结构对器件进行了小信号建模,模型仿真与测试结果拟合良好.针对电流的短沟道效应,采用电流分段的方法来拟合I-V曲线,取得了较好的拟合结果.最后采用Angelov模型对器件的电容进行建模,并最终建立了器件的大信号模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔玉兴		30	88	6.0	8.0
2	胡志富		7	9	2.0	2.0
3	何美林		1	2	1.0	1.0
4	刘亚男		3	17	2.0	3.0