InP基三端太赫兹固态电子器件和电路发展

• 作者: 丁芃 刘新宇 周静涛 张毕禅 杨成樾 汪丽丹 苏永波 金智
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太赫兹 InP基晶体管 固态电子器件 太赫兹单片集成电路
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 43-49
• 分类号: TN322+.8
• 字数: 6508字
• 语种: 中文

摘要

随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的截止频率已经进入到太赫兹频段,太赫兹电路的频率特性得到极大发展.以固态器件为基础的太赫兹电路的工作频率进入到 THz 频段.本文重点介绍 InP基双极器件和场效应器件的发展以及在太赫兹电路和系统中的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	金智	中国科学院微电子研究所	30	92	5.0	8.0
3	周静涛	中国科学院微电子研究所	5	26	4.0	5.0
4	杨成樾	中国科学院微电子研究所	8	16	3.0	4.0
5	苏永波	中国科学院微电子研究所	10	21	4.0	4.0
6	丁芃	中国科学院微电子研究所	3	7	2.0	2.0
7	张毕禅	中国科学院微电子研究所	2	9	2.0	2.0
8	汪丽丹	中国科学院微电子研究所	2	9	2.0	2.0