太赫兹固态电子器件和电路

• 作者: 丁秡 刘新宇 周静涛 张毕禅 杨成樾 汪丽丹 苏永波 金智
• 来源期刊: 空间电子技术
• 关键词: 太赫兹 固态电子器件和电路 InP基三端电子器件 肖特基二极管 综述
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 太赫兹技术专题
• 页码范围: 48-55
• 页数: 8页
• 字数: 7319字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-7135.2013.04.012

摘要

随着微电子技术的飞速发展，半导体器件的截止频率已经进入到太赫兹频段，太赫兹电路的频率特性特性得到极大发展。以固态器件为基础的电路的工作频率进入到太赫兹频段。太赫兹固态电子器件与电路技术在空间领域有着重要的应用前景。文章重点介绍InP基三端太赫兹固态电子器件和电路，以及太赫兹肖特基二极管器件和电路的技术发展过程与最新动态。并指出随着器件与电路的整体化与集成化发展趋势，太赫兹单片集成技术是其未来发展方向。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	金智	中国科学院微电子研究所	30	92	5.0	8.0
3	周静涛	中国科学院微电子研究所	5	26	4.0	5.0
4	杨成樾	中国科学院微电子研究所	8	16	3.0	4.0
5	苏永波	中国科学院微电子研究所	10	21	4.0	4.0
6	丁秡	中国科学院微电子研究所	1	4	1.0	1.0
7	张毕禅	中国科学院微电子研究所	2	9	2.0	2.0
8	汪丽丹	中国科学院微电子研究所	2	9	2.0	2.0