电子器件氧化层ESD介质击穿物理模型研究

• 作者: 任洪梅 孙可平 张榕
• 来源期刊: 上海海事大学学报
• 关键词: 氧化层 介质击穿 ESD技术
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 56-59
• 页数: 4页
• 分类号: O441.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-9498.2003.01.012

摘要

提出了电子器件门电路硅氧化层介质击穿的物理模型.并使用该模型讨论了介质击穿场强与介质厚度的关系,解释了介质击穿电压与ESD(静电放电,electrostatic discharge)脉冲的尺寸效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙可平	上海海运学院基础科学部	7	33	3.0	5.0
2	任洪梅	上海海运学院基础科学部	2	18	2.0	2.0
3	张榕	上海海运学院基础科学部	2	18	2.0	2.0