HBM模型中IC器件氧化层击穿机理

• 作者: 孙可平 孙志强
• 来源期刊: 上海海事大学学报
• 关键词: 氧化层击穿 IC器件 静电防护 介质击穿
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 基础科学
• 页码范围: 86-88
• 页数: 3页
• 分类号: O482.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-9498.2004.04.020

摘要

在IC器件氧化层介质击穿物理模型的基础上, 讨论人体带电放电模型(HBM ESD)中波动电压加于氧化层上时绝缘介质氧化层的击穿机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙可平	上海海运学院基础教学部	7	33	3.0	5.0
2	孙志强	上海海运学院基础教学部	1	2	1.0	1.0