栅氧化层击穿的统一逾渗模型

• 作者: 万长兴 包军林 庄奕琪 李伟华 杜磊 马仲发
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 栅氧化层 击穿 逾渗 模型
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 54-58
• 页数: 5页
• 分类号: TN34|TN386.1
• 字数: 3677字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2004.01.014

摘要

综合E模型和1/E模型中两种不同的缺陷产生机制和逾渗理论,建立了栅氧化层击穿过程中缺陷产生和击穿触发的统一逾渗模型.该模型认为栅氧化层的击穿触发是由于氧化层中氧空位等缺陷所形成的定域态扩展化的结果,并对氧空位等缺陷的产生动力学进行了统一的描述,使得该模型无论在高场强还是低场强情况下所得的结果,均能较好地描述氧化层击穿过程,从而对长期以来有关栅氧化层击穿的E模型和1/E模型之争做出了较为合理的解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学微电子研究所	183	1168	15.0	22.0
2	杜磊	西安电子科技大学微电子研究所	99	486	13.0	18.0
3	包军林	西安电子科技大学微电子研究所	43	306	10.0	16.0
4	万长兴	西安电子科技大学微电子研究所	3	11	1.0	3.0
5	马仲发	西安电子科技大学微电子研究所	6	56	4.0	6.0
6	李伟华	西安电子科技大学微电子研究所	16	98	6.0	9.0