高温恒定电场栅氧化层TDDB寿命测试方法研究

• 作者: 李斌 王涛 罗宏伟
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 栅氧化层 可靠性评价 模型 参数提取
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 可靠性物理与失效分析技术
• 页码范围: 10-13
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2004.02.003

摘要

介绍了薄栅氧化层TDDB可靠性评价的高温恒定电场试验方法,并完成了E模型的参数提取,同时以MOS电容栅电流Ig为失效判据,对某工艺的MOS电容栅氧化层TDDB寿命进行了评价.该试验方法解决了在高温条件下对工作器件进行可靠性评价的问题,方法简便可靠,适用于亚微米和深亚微米工艺线的可靠性评价.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗宏伟		16	122	6.0	10.0
2	李斌	华南理工大学应用物理系	128	542	12.0	17.0
3	王涛	华南理工大学应用物理系	32	258	7.0	15.0