薄栅介质TDDB效应

• 作者: 刘红侠 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: TDDB 击穿机理 击穿电荷 可靠性表征
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1592-1595
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2236字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.12.023

摘要

在恒压和恒流应力条件下测试了超薄栅氧化层的击穿特性,研究了TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)的可靠性表征方法.对相关击穿电荷量QBD进行了实验测试和分析.结果表明:相关击穿电荷量QBD除了与氧化层质量有关外,还与应力电压和应力电流密度以及栅氧化层面积有关.对相关系数进行了拟合,给出了QBD的解析表达式.按照上述表达式外推的结果和实验值取得了很好的一致.提出了薄栅介质TDDB效应的表征新方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学微电子研究所	91	434	10.0	15.0