薄栅氮化工艺技术研究

• 作者: 刘存生 李齐 薛东风
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 栅氧化 氮化 抗辐射
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 71-73
• 页数: 3页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2003.z1.022

摘要

介绍一种薄栅氮化的工艺方法,可用于0.8-1.0μm级别的MOS集成电路及抗辐射MOS集成电路的工艺生产中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘存生		5	2	1.0	1.0
2	薛东风		1	1	1.0	1.0
3	李齐		1	1	1.0	1.0