薄栅介质层可靠性与陷阱统计分析

• 作者: 姚峰英 张敏 胡恒升
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄栅介质 临界陷阱密度Nbd 可靠性 缺陷统计分析
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1522-1525
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 4067字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2001.11.021

摘要

本文以高电场(＞11.8MV/cm)恒电流TDDB为手段研究了厚度为7.6、10.3、12.5、14.5nm薄氧化层的击穿统计特性.实验分析表明在加速失效实验中测量击穿电量Qbd的同时,还可以测量击穿时的栅电压增量ΔVbd.因为ΔVbd的统计分布反映了栅介质层中带电陷阱的数量及其位置分布,可以表征栅介质层的质量和均匀性.此外由Qbd和ΔVbd能够较合理地计算临界陷阱密度Nbd.实验结果表明本征击穿时Nbd与测试条件无关而随工艺和介质层厚度变化.同样厚度时Nbd反映不同工艺生成的介质质量.陷阱生成的随机性使Nbd随栅介质厚度减小而下降.氧化层厚度约10nm时Nbd达到氧化层分子密度的1%发生击穿(1020cm-3).Nbd的物理意义清楚,不象Qbd随测试应力条件变化,是薄栅介质层可靠性的较好的定量指标.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张敏		184	2770	26.0	48.0
2	胡恒升		4	26	2.0	4.0
3	姚峰英		4	3	1.0	1.0