栅氧化层TDDB可靠性评价试验及模型参数提取

• 作者: 孔学东 徐征 恩云飞 赵文斌
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 栅氧化层 可靠性评价 模型 参数提取
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 可靠性物理、失效分析与产品改进
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2002.01.001

摘要

采用恒定电压和恒定电流试验方法对20 nm栅氧化层进行了TDDB可靠性评价试验,并完成了1/E模型参数提取,给出了恒定电流应力下描述氧化层TDDB退化的统计模型,较好地解释了试验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	恩云飞		37	304	10.0	14.0
2	孔学东		16	184	6.0	13.0
3	徐征		3	9	1.0	3.0
4	赵文斌		1	8	1.0	1.0