微电子生产工艺可靠性评价与控制

• 作者: 孔学东 张晓明 恩云飞 章晓文
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 可靠性评估 与时间有关的栅氧化层击穿 热载流子注入效应 电迁移效应 工艺过程控制
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 专家论坛
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN407
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2004.03.001

摘要

简要介绍了可靠性评估(REM)测试结构设计,并介绍了REM试验中与时间有关的栅氧化层击穿(TDDB)、热载流子注入(HCI)效应和电迁移(EM)效应的评价试验方法及实例.REM技术与工艺过程控制(PCM)、统计工艺控制(SPC)技术结合起来就可以实现对工艺的可靠性评价与控制,某集成电路生产公司将它应用于金属化工艺中,确定了工艺输入变量与电迁移可靠性的相关性,优化了金属化工艺试验条件,提高了金属化系统的抗电迁移能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	恩云飞		37	304	10.0	14.0
2	章晓文		16	78	5.0	7.0
3	孔学东		16	184	6.0	13.0
4	张晓明		10	50	5.0	6.0