薄栅氧化层斜坡电压TDDB击穿参数的研究

• 作者: 李斌 王茂菊 章晓文 陈平 韩静
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 薄栅氧化物 TDDB 斜坡电压法 击穿参数
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 624-626,634
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 2702字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.03.005

摘要

随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路的可靠性的作用越来越重要.经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法.本次实验主要是通过斜坡电压实验来研究薄栅氧化层的TDDB,测出斜坡电压时氧化层的击穿电压、击穿电荷以及击穿时间,研究了斜坡电压情况下,栅氧化层击穿电荷、击穿电压和外加电压斜率等击穿参数间的依赖关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	华南理工大学物理科学与技术学院	128	542	12.0	17.0
2	陈平	华南理工大学物理科学与技术学院	29	234	8.0	14.0
3	韩静	华南理工大学物理科学与技术学院	8	32	4.0	5.0