含N超薄栅氧化层的击穿特性

• 作者: 任迪远 张国强 韩德栋
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 含N 超薄栅氧化层 击穿特性
• 年，卷（期）: 2001,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1274-1276
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 2213字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.10.010

摘要

研究了含N超薄栅氧化层的击穿特性.含N薄栅氧化层是先进行900C干氧氧化5min,再把SiO2栅介质放入1000C的N2O中退火20min而获得的,栅氧化层厚度为10nm.实验结果表明,在栅介质中引入适量的N可以明显地起到抑制栅介质击穿的作用.分析研究表明,N具有补偿SiO2中O3 Si@和Si3 Si@等由工艺引入的氧化物陷阱和界面陷阱的作用,从而可以减少初始固定正电荷和Si/SiO2界面态,因此提高了栅氧化层的抗击穿能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国强	中国科学院新疆物理研究所	82	553	12.0	21.0
2	任迪远	中国科学院新疆物理研究所	59	375	11.0	16.0
3	韩德栋	中国科学院新疆物理研究所	6	12	2.0	3.0