超薄栅氧化层等离子体损伤的工艺监测

• 作者: 于宗光 李蕾蕾 赵文彬
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 栅氧化层 等离子体损伤 天线结构 工艺监测
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 947-950,956
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 4552字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2009.05.007

摘要

随着集成电路向深亚微米、纳米技术发展,等离子体充电对制造工艺造成的影响,尤其对超薄隧道氧化层的损伤越来越显著.本文分析了等离子体工艺损伤机理以及天线效应,设计了带有多晶、孔、金属等层次天线监测结构的电容和器件,并有不同的天线比.设计结构简单、完全工艺兼容,测试结果直观、测量灵敏度高等优点,实现了等离子体损伤芯片级工艺监控.测试分析表明,不同的膜层结构,等离子体损伤程度不同,当天线比大于103以后,充电损伤变得明显.同时测试也发现了工艺损伤较为严重的环节,为优化制造工艺,提高超薄栅氧化层抗等离子体损伤能力提供了科学的依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于宗光	中国电子科技集团公司第五十八研究所	140	722	12.0	22.0
2	赵文彬	西安电子科技大学微电子学院	9	10	2.0	2.0
4	李蕾蕾	西安电子科技大学微电子学院	8	20	3.0	4.0