超薄栅氧化层中的软击穿的击穿机理和击穿模型

• 作者: 李斌 韩静
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 超薄栅氧化层 软击穿 直接隧穿
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 综述与展望
• 页码范围: 18-22
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2004.03.004

摘要

软击穿是与氧化层质量密切相关的一种新的击穿形式.当氧化层厚度小于5 nm时,软击穿效应显著,是超薄栅氧化层的主要失效机理.通过对国外软击穿研究状况的分析,对超薄栅氧化层中软击穿的失效模型和机理进行了综述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	华南理工大学应用物理系	128	542	12.0	17.0
2	韩静	华南理工大学应用物理系	8	32	4.0	5.0