不同工艺超薄栅氧化层的抗击穿特性

• 作者: 严荣良 任迪远 张国强 陆妩 韩德栋
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 不同工艺 超薄栅氧化层 抗击穿特性
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 74-77
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2405字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.01.017

摘要

对注F、注N以及先注N后注F超薄栅氧化层的击穿特性进行了实验研究,实验结果表明,在栅介质中引入适量的F或N都可以明显地提高栅介质的抗击穿能力.分析研究表明,栅氧化层的击穿主要是由于正电荷的积累造成的,F或N的引入可以补偿Si/SiO2界面和SiO2中的O3≡Si·和Si3≡Si·等由工艺引入的氧化物陷阱和界面陷阱,从而减少了初始固定正电荷和Si/SiO2界面态,提高了栅氧化层的质量.通过比较发现,注N栅氧化层的抗击穿能力比注F栅氧化层强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严荣良	中国科学院新疆物理研究所	22	83	5.0	8.0
2	张国强	中国科学院新疆物理研究所	82	553	12.0	21.0
3	陆妩	中国科学院新疆物理研究所	42	320	11.0	16.0
4	任迪远	中国科学院新疆物理研究所	59	375	11.0	16.0
5	韩德栋	中国科学院新疆物理研究所	6	12	2.0	3.0