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摘要:
对注F、注N以及先注N后注F超薄栅氧化层的击穿特性进行了实验研究,实验结果表明,在栅介质中引入适量的F或N都可以明显地提高栅介质的抗击穿能力.分析研究表明,栅氧化层的击穿主要是由于正电荷的积累造成的,F或N的引入可以补偿Si/SiO2界面和SiO2中的O3≡Si·和Si3≡Si·等由工艺引入的氧化物陷阱和界面陷阱,从而减少了初始固定正电荷和Si/SiO2界面态,提高了栅氧化层的质量.通过比较发现,注N栅氧化层的抗击穿能力比注F栅氧化层强.
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内容分析
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文献信息
篇名 不同工艺超薄栅氧化层的抗击穿特性
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 不同工艺 超薄栅氧化层 抗击穿特性
年,卷(期) 2002,(1) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 74-77
页数 4页 分类号 TN386
字数 2405字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.01.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 严荣良 中国科学院新疆物理研究所 22 83 5.0 8.0
2 张国强 中国科学院新疆物理研究所 82 553 12.0 21.0
3 陆妩 中国科学院新疆物理研究所 42 320 11.0 16.0
4 任迪远 中国科学院新疆物理研究所 59 375 11.0 16.0
5 韩德栋 中国科学院新疆物理研究所 6 12 2.0 3.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
不同工艺
超薄栅氧化层
抗击穿特性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
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