应力导致的薄栅氧化层漏电流瞬态特性研究

• 作者: 刘红侠 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄栅氧化层 应力导致的漏电流(SILC) FN隧穿 热空穴应力 衬底热电子
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1769-1773
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2912字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.09.027

摘要

分别研究了FN隧穿应力和热空穴 (HH) 应力导致的薄栅氧化层漏电流瞬态特性.在这两种应力条件下,应力导致的漏电流(SILC)与时间的关系均服从幂函数关系,但是二者的幂指数不同.热空穴应力导致的漏电流中,幂指数明显偏离-1,热空穴应力导致的漏电流具有更加显著的瞬态特性.研究结果表明:热空穴SILC机制是由于氧化层空穴的退陷阱效应和正电荷辅助遂穿中心的湮没.利用热电子注入技术,正电荷辅助隧穿电流可被大大地减弱.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学微电子研究所	91	434	10.0	15.0