薄栅氧化层相关击穿电荷

• 作者: 刘红侠 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄栅氧化层 衬底热空穴(SHH) 击穿电荷量 模型
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 156-160
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3369字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.02.010

摘要

栅氧化层厚度的减薄要求深入研究薄栅介质的击穿和退化之间的关系.利用衬底热空穴注入技术分别控制注入到薄栅氧化层中的热电子和空穴量，对相关击穿电荷进行了测试和研究.结果表明薄栅氧化层击穿的限制因素依赖于注入热电子量和空穴量的平衡．提出薄栅氧化层的击穿是在注入的热电子和空穴的共同作用下发生的新观点.建立了SiO2介质击穿的物理模型并给出了理论分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学微电子研究所	91	434	10.0	15.0