超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制

• 作者: 段小蓉 王彦刚 许铭真 谭长华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 软击穿 栅电流 类Fowler-Nordheim隧穿 超薄栅氧化层
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3884-3888
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3656字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.08.072

摘要

研究了恒压应力下超薄栅氧化层n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)软击穿后的导电机制.发现在一定的栅电压Vg范围内,软击穿后的栅电流Ig符合Fowler-Nordheim隧穿公式,但室温下隧穿势垒φb的平均值仅为0.936 eV,远小于Si/SiO2界面的势垒高度3.15 eV.研究表明,软击穿后,处于Si/SiO2界面量子化能级上的电,子不隧穿到氧化层的导带,而是隧穿到氧化层内的缺陷带上.φb与缺陷带能级和电子所处的量子能级相关;高温下,激发态电子对隧穿电流贡献的增大导致φb逐渐降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭长华	北京大学微电子学研究所	48	99	5.0	7.0
2	许铭真	北京大学微电子学研究所	52	102	5.0	7.0
3	王彦刚	北京大学微电子学研究所	3	17	2.0	3.0
4	段小蓉	北京大学微电子学研究所	9	26	3.0	5.0