TDDB击穿特性评估薄介质层质量

• 作者: 张敏 林立谨 胡恒升
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄介质层 质量评估 与时间相关电介质击穿 击穿电量
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 综述与评论
• 页码范围: 80-83,74
• 页数: 5页
• 分类号: TN406
• 字数: 5955字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2000.05.022

摘要

与时间相关电介质击穿(TDDB)测量是评估厚度小于20nm薄栅介质层质量的重要方法.氧化层击穿前,隧穿电子和空穴在氧化层中或界面附近产生陷阱、界面态,当陷阱密度超过临界平均值bd时,发生击穿.击穿电量Qbd值表征了介质层的质量.Qbd值及其失效统计分布与测试电流密度、电场强度、温度及氧化层面积等有定量关系.TDDB的早期失效分布可以反映工艺引入的缺陷.TDDB可以直接评估氧化、氮化、清洗、刻蚀等工艺对厚度小于10nm的栅介质质量的影响.它是硅片级评估可靠性和预测EEPROM擦写次数的重要方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张敏	中国科学院上海冶金研究所微电子学分部	184	2770	26.0	48.0
2	胡恒升	中国科学院上海冶金研究所微电子学分部	4	26	2.0	4.0
3	林立谨	中国科学院上海冶金研究所微电子学分部	1	21	1.0	1.0