衬底热电子增强的薄SiO2层击穿特性研究

• 作者: 刘红侠 方建平 郝跃 黄涛
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄栅氧化层 经时击穿 衬底热电子 击穿电荷
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1468-1470
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 3940字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2001.11.007

摘要

本文通过衬底热电子SHE(Substrate hot electron)注入技术,对SHE增强的薄SiO2层击穿特性进行了研究.实验发现氧化层中的平均电子能量与衬底电压有很大的关系.通过能量守恒方程计算注入到氧化层中的平均电子能量,根据计算出的电子能量可以解释SHE注入和F-N隧穿注入的根本不同.本文提出了衬底热电子增强的TDDB(Time dependent dielectric breakdown)模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学微电子研究所	91	434	10.0	15.0
3	方建平	西安电子科技大学微电子研究所	13	118	6.0	10.0
4	黄涛	西安电子科技大学微电子研究所	1	6	1.0	1.0