栅氧化层介质经时击穿的逾渗模型

• 作者: 包军林 庄奕琪 李伟华 杜磊 马仲发
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 栅氧化层 TDDB 逾渗 模型
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2046-2051
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3423字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.08.041

摘要

在研究了MOSFET栅氧化层介质经时击穿物理机制的基础上,提出了氧化层击穿的逾渗模型.认为氧化层的击穿是E′心和氧空位等深能级缺陷产生与积累,并最终形成电导逾渗通路的结果.指出在电场作用下,氧化层中产生深能级缺陷,缺陷形成定域态,定域态的体积与外加电场有关.随着应力时间的增长,氧化层中的缺陷浓度增大,定域态之间的距离缩小.当定域态之间的距离缩小到一个阈值时,定域态之间通过相互交叠形成逾渗通路,形成扩展态能级,漏电流开始急剧增大,氧化层击穿.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学微电子研究所	183	1168	15.0	22.0
2	杜磊	西安电子科技大学微电子研究所	99	486	13.0	18.0
3	包军林	西安电子科技大学微电子研究所	43	306	10.0	16.0
4	马仲发	西安电子科技大学微电子研究所	6	56	4.0	6.0
5	李伟华	西安电子科技大学微电子研究所	16	98	6.0	9.0