薄栅介质的电子俘获击穿机理及物理模型

• 作者: 刘红侠 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化层经时击穿 电子陷阱 击穿机理
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 页码范围: 610-613
• 分类号: TN306
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.1999.05.016

摘要

氧化层的经时击穿是集成电路中一个非常重要的问题.从理论上分析了氧化层经时击穿的电子俘获击穿机理,给出了相关的物理模型,同时指出了一些物理模型中存在的问题,为进一步研究氧化层的经时击穿机理及氧化层经时击穿可靠性的建模提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学微电子研究所	91	434	10.0	15.0