恒电流应力引起HfO2栅介质薄膜的击穿特性

• 作者: 刘晓彦 康晋锋 王成钢 王玮 韩德栋 韩汝琦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 恒电流应力 高k HfO2 击穿
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1009-1012
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2113字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.08.024

摘要

利用磁控溅射的方法在p-Si上制备了高k(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的MOS电容,对薄栅氧化层电容的软击穿和硬击穿特性进行了实验研究.利用在栅极加恒电流应力的方法研究了不同面积HfO2薄栅介质的击穿特性以及击穿对栅介质的I-V特性和C-V特性的影响.实验结果表明薄栅介质的击穿过程中有很明显的软击穿现象发生,与栅氧化层面积有很大的关系,面积大的电容比较容易发生击穿.分析比较了软击穿和硬击穿的区别,并利用统计分析模型对薄栅介质的击穿机理进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘晓彦	北京大学微电子学研究所	41	268	9.0	15.0
2	韩汝琦	北京大学微电子学研究所	38	261	10.0	14.0
3	韩德栋	北京大学微电子学研究所	11	86	5.0	9.0
4	康晋锋	北京大学微电子学研究所	23	358	9.0	18.0
5	王成钢	北京大学微电子学研究所	2	5	1.0	2.0
6	王玮	北京大学微电子学研究所	61	390	12.0	17.0