Al掺杂HfO2高k栅介质沉积后退火工艺研究

• 作者: 刘倩倩 张静 李佳帅 杨红 闫江
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子 Al掺杂的HfO2 退火工艺 结晶 C-V特性 高k
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 1362-1366
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 3100字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2018.06.002

摘要

为满足集成电路发展需求,通过向HfO2掺入Al元素形成Al掺杂的HfO2新型高k材料,并在不同的环境和温度下进行退火,研究其电学特性的变化.通过对电学参数的分析,研究Al掺杂HfO2材料体内正电荷缺陷、k值(晶相变化)、界面层厚度、栅漏电等的影响.最终,在N2环境中700℃退火条件下,Al掺杂HfO2的电学特性达到最优,其EOT为0.88 nm、Vfb为0.46 V和Ig为2.19×10-4 A/cm2.最优条件下的EOT(Equivalent Oxide Thickness)可以满足14/16(nm)器件的需要(EOT<1 nm),Ig比相同EOT的HfO2材料小3个数量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨红		11	159	6.0	11.0
2	刘倩倩		8	84	4.0	8.0
4	张静		4	7	1.0	2.0
5	李佳帅		2	0	0.0	0.0
11	闫江		1	0	0.0	0.0