先进的Hf基高k栅介质研究进展

• 作者: 徐秋霞 许高博
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 高介电常数 HfO2 HfON HfSiON HfTaON
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 1194-1199
• 页数: 6页
• 分类号: TN401
• 字数: 5362字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.04.017

摘要

随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小,SiO2作为栅介质材料已不能满足集成电路技术高速发展的需求,利用高k栅介质取代SiO2栅介质成为微电子技术发展的必然.但是,被认为最有希望替代SiO2的HfO2由于结晶温度低等缺点,很难集成于现有的CMOS工艺中,新型Hf基高k栅介质的研究成为当务之急.据报道,在HfO2中引入N、Si、Al和Ta可大大改善其热力学稳定性,由此形成的高k栅介质具有优良的电学特性,基本上满足器件的要求.本文综述了这类先进的Hf基高k栅介质材料的最新研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐秋霞	中国科学院微电子研究所	37	108	6.0	8.0
2	许高博	中国科学院微电子研究所	8	21	3.0	4.0