稀土元素掺杂的Hf基栅介质材料研究进展

• 作者: 杨智超 王玫 程国安 肖志松 郑晓虎 黄安平
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Hf基高k栅介质 稀土掺杂 氧空位缺陷 有效功函数
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 前沿领域综述
• 页码范围: 809-820
• 分类号: O482
• 语种: 中文

摘要

随着金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)等比缩小到45 nm技术节点,具有高介电常数的栅介质材料(高k材料)取代传统的SiO2已经成为必然,然而Hf基高k材料在实际应用中仍然存在许多不足,而稀土元素掺杂在提高Hf基栅介质材料的k值、降低缺陷密度、调整MOSFETs器件的阈值电压等方面表现出明显的优势.本文综述了Hf基高k材料的发展历程,面临的挑战,稀土掺杂对Hf基高后材料性能的调节以及未来研究的趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程国安	北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室	28	204	9.0	13.0
2	王玫	北京航空航天大学物理系	19	88	5.0	9.0
3	肖志松	北京航空航天大学物理系	17	119	6.0	10.0
4	黄安平	北京航空航天大学物理系	23	121	6.0	10.0
5	郑晓虎	北京航空航天大学物理系	5	54	4.0	5.0
6	杨智超	北京航空航天大学物理系	3	15	1.0	3.0