高介电栅介质材料研究进展

• 作者: 姚金城 常爱民 张东炎 武德起 赵红生
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高介电栅介质 晶化温度 低介电界面层 金属栅电极
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 865-871
• 页数: 7页
• 分类号: TN304|TN386|O484
• 字数: 5257字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.001

摘要

传统的栅介质材料SiO2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究,进展迅速,本文综述了国内外对高介电材料的研究成果,并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常爱民		29	379	11.0	18.0
2	姚金城	中国科学院新疆理化技术研究所	2	8	1.0	2.0