HfO2薄膜反应磁控溅射沉积工艺的研究

• 作者: 吕反修 张树玉 杨海 王宏斌 苏小平 贺琦
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: HfO2薄膜 反应磁控溅射沉积 红外透过率
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 70-75
• 页数: 6页
• 分类号: O78
• 字数: 3782字
• 语种: 中文

摘要

采用纯铪(Hf)金属靶,在氧和氩反应气氛中进行了HfO2薄膜反应磁控溅射沉积,研究了电源功率、O2/Ar比例和工作气压对薄膜组成及薄膜沉积过程的影响.对制备的HfO2薄膜进行了退火处理,利用X射线衍射仪(GIXRD)、红外波谱仪(FT-IR)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)表征了退火前后HfO2薄膜的显微结构、组织组成及红外透过性能.采用胶带测试测定了HfO2薄膜的附着性能.本研究得到了优化的沉积工艺参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕反修	北京科技大学材料科学与工程学院	151	1208	18.0	24.0
2	贺琦	北京科技大学材料科学与工程学院	11	87	5.0	9.0
4	苏小平		15	133	7.0	11.0
7	杨海		9	77	5.0	8.0
8	张树玉		2	15	2.0	2.0
9	王宏斌		1	7	1.0	1.0