氧气对磁控溅射HfO2薄膜电学性能的影响

• 作者: 刘其军 刘文婷 刘正堂 田浩 闫锋
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频磁控溅射 HfO2薄膜 界面层 电学性能
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 997-1001,1006
• 分类号: O484
• 字数: 3448字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射法在无氧和有氧气氛下制备了HfO2薄膜.通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、椭圆偏振光谱(SE)以及电容-电压(C-V)测试对薄膜的结构、成分、HfO2/Si界面和HfO2栅介质MOS结构的电学性能等进行了分析表证.结果表明,溅射过程中通入氧气后,薄膜出现了较明显的结晶化;薄膜的氧化程度得到提高,成分更接近理想化学计量比HfO2.在HfO2/Si界面处存在的SiO2界面层,有氧条件下界面层的厚度增大.氧气的通入改善了HfO2栅介质MOS结构的电学性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘正堂	西北工业大学材料学院	120	749	14.0	21.0
2	刘其军	西北工业大学材料学院	27	69	5.0	7.0
3	刘文婷	西北工业大学材料学院	11	34	3.0	4.0
4	闫锋	西北工业大学材料学院	12	46	4.0	6.0
5	田浩	西北工业大学材料学院	8	19	2.0	4.0