基于掺杂Al原子的HfO2体系对RRAM性能的影响

• 作者: 代广珍 姜永召
• 来源期刊: 牡丹江师范学院学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 第一性原理 电荷通道 间隙Al
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 物理与电子工程
• 页码范围: 26-29
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 1945字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-6180.2019.04.009

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究掺杂Al的HfO2阻变材料的微观特性.研究表明,间隙Al掺杂到HfO2中后,体系更稳定;当间隙Al浓度为2.04％ 时,能够形成较为完美的电荷通道,临界等势面值相对最高,有利于器件的均匀性、操作速度以及形成电压等性能的改善;当间隙Al浓度高于4％ 时,掺杂体系的材料制备更加困难.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	代广珍	安徽工程大学电气工程学院	16	21	2.0	3.0
2	姜永召	安徽工程大学电气工程学院	3	0	0.0	0.0