HfO2含量对铌锑锆钛酸铅压电陶瓷性能的影响

• 作者: 姚国华 李亚 樊惠强 王振 郁秋峰
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 ZrO2 HfO2 压电陶瓷 稳定性
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 11-13
• 页数: 3页
• 分类号: TM282
• 字数: 3001字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2009.08.003

摘要

针对Pb(Sb, Nb)O3-Pb(Zr, Ti)O3压电陶瓷制备过程中谐振反谐振频率差值Δf出现的波动现象,利用配料递减称量法,研究了HfO2含量对Pb(Sb0.5Nb0.5)0.08Zr0.50Ti0.42O3+ 1.5%(质量分数)MnO2三元系压电陶瓷的晶相结构、微观形貌和电性能的影响.同时分析了ZrO2原料中HfO2杂质的成因.结果表明:HfO2在该三元系压电陶瓷中属于无害但无用的杂质.通过调整ZrO2配料含量,可以使其Δf控制在合格范围内(7.0～8.0 kHz),而且其他的电性能基本保持不变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王振		3	6	1.0	2.0
2	樊惠强		1	0	0.0	0.0
3	李亚		3	7	1.0	2.0
4	郁秋峰		1	0	0.0	0.0
5	姚国华		2	0	0.0	0.0