ALD淀积温度对HfO2高k栅介质材料特性的影响

• 作者: 刘红侠 匡潜玮 张言雷 樊继斌 马飞
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 高k栅介质 二氧化铪 原子层淀积 生长温度 氧化层缺陷
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 页码范围: 164-167
• 分类号: TN304
• 字数: 2134字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2012.02.027

摘要

采用原子层淀积方法,在不同生长温度下制备了HfO2高k栅介质薄膜,研究了生长温度对HfO2薄膜特性的影响.实验结果表明,HfO2薄膜的生长速率受生长温度的影响很大,在高温区将随着温度的上升而增大,而在低温区将随着温度的降低而增大.通过分析HfO2薄膜的C-V特性发现,不同生长温度下淀积的HfO2薄膜的介电常数和氧化层缺陷数量都有很大区别,过高和过低的生长温度都将增加HfO2薄膜中的原生缺陷,其中,280℃～310℃区间生长的HfO2薄膜中的缺陷最少.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马飞	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	10	2.0	3.0
2	刘红侠	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
3	匡潜玮	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	7	1.0	2.0
4	樊继斌	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	2	7	1.0	2.0
5	张言雷	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	6	1.0	1.0