HfO2高k栅介质等效氧化层厚度的提取

• 作者: 康晋锋 赵建明 陈勇 韩德栋 韩汝琦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高介电常数栅介质 等效氧化层厚度 二氧化铪
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 852-856
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3274字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.05.017

摘要

分两步提取了HfO2高k栅介质等效氧化层厚度(EOT).首先,根据MIS测试结构等效电路,采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影响进行修正,得出HfO2高k栅介质的准确C-V特性.其次,给出了一种利用平带电容提取高k介质EOT的方法,该方法能克服量子效应所产生的反型层或积累层电容的影响.采用该两步法提取的HfO2高k栅介质EOT与包含量子修正的Poisson方程数值模拟结果对比,误差小于5%,验证了该方法的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩汝琦	北京大学微电子系	38	261	10.0	14.0
2	韩德栋	北京大学微电子系	11	86	5.0	9.0
3	康晋锋	北京大学微电子系	23	358	9.0	18.0
4	赵建明	电子科技大学微电子与固体电子学院	26	172	7.0	12.0
5	陈勇	电子科技大学微电子与固体电子学院	66	345	9.0	15.0