YON界面钝化层改善HfO2/Ge界面特性的研究

• 作者: 刘璐 徐钦 程智翔
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ge金属-氧化物-半导体 界面钝化层 YON 界面态密度
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 2810-2814
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3377字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2017.11.031

摘要

本文采用YON界面钝化层来改善HfO2栅介质Ge metal-oxide-semiconductor (MOS)器件的界面质量和电特性.比较研究了两种不同的YON制备方法:在Ar+N2氛围中溅射Y2O3靶直接淀积获得以及先在Ar+N2氛围中溅射Y靶淀积YN再于含氧氛围中退火形成YON.实验结果及XPS的分析表明,后者可以利用YN在退火过程中先于Ge表面吸收从界面扩散的O而氧化,从而阻挡了O扩散到达Ge表面,更有效抑制了界面处Ge氧化物的形成,获得了更优良的界面特性和电特性:较小的CET(1.66 nm),较大的k值(18.8),较低的界面态密度(7.79 ×1011 eV-1cm-2)和等效氧化物电荷密度(-4.83×1012 cm-2),低的栅极漏电流(3.40×10-4 A/cm2@Vg=Vfb+1 V)以及好的高场应力可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘璐	华中科技大学光学与电子信息学院	33	220	8.0	14.0
2	程智翔	华中科技大学光学与电子信息学院	3	3	1.0	1.0
3	徐钦	华中科技大学光学与电子信息学院	1	0	0.0	0.0