HfO2薄膜的离子束刻蚀特性研究

• 作者: 付绍军 刘颖 徐向东 洪义麟 王旭迪
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 物理学
• 关键词: HfO2薄膜 离子束刻蚀 刻蚀速率 图形转移 表面质量
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 先进加工制造技术
• 页码范围: 454-458
• 页数: 5页
• 分类号: O463.2
• 字数: 2945字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-924X.2004.05.002

摘要

实验研究了HfO2薄膜特性以及掩模材料AZ1350以Ar为工作气体下的离子束的刻蚀特性.给出了离子能量、离子束流密度和离子束入射角等因素与刻蚀速率的关系曲线,用最小二乘法拟合了上述因素与刻蚀斜率的函数关系方程;分析了光刻胶和基片在刻蚀过程中随刻蚀深度的变化对图形转移精度的影响,用AFM的Tapping模式测量了刻蚀前后HfO 2薄膜表面质量的变化.结果表明刻蚀速率与离子能量的平方根,及速流密度成正比,并随离子束入射角变化而变化;与刻蚀前相比,刻蚀工艺降低了因HfO 2薄膜刻蚀深度的增加引起图形转移精度下降,因此提高刻蚀选择比是获得高分辨率图形的前提.研究结果已应用到了在HfO 2/SiO 2多层膜衍射光栅的制作中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐向东	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	74	701	15.0	21.0
2	洪义麟	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	56	478	13.0	19.0
3	付绍军	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	69	435	12.0	15.0
4	刘颖	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	158	3777	30.0	58.0
5	王旭迪	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	40	192	9.0	12.0