离子束辅助工艺中APS源偏转电压对HfO2薄膜性能的影响

• 作者: 刘志国 熊胜明 田俊林 申林
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 离子束辅助 反应沉积 偏转电压 HfO2 光学损耗
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 118-122
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3472字
• 语种: 中文

摘要

基于Leybold APS1104镀膜系统,采用离子束辅助反应沉积技术,以金属Hf粒为初始镀膜材料,APS源偏转电压为50～140 V范围内,在[100]单晶硅片和紫外石英(JGS1)基板上制备了HfO2单层膜.分别利用Lambda 900分光光度计、X射线光电子能谱仪、X射线衍射仪以及原子力显微镜对HfO2薄膜的光谱性能、表面及纵向化学成分、晶相结构以及表面粗糙度进行了分析.结果表明:当APS源偏转电压在120～140 V及50～90 V两个范围内变化时,HfO2薄膜的紫外短波光学损耗随着偏转电压的降低而减小,而为110～90 V时紫外短波光学损耗对偏转电压的变化不敏感;偏转电压在50～140 V的范围内时,制备的HfO2薄膜表面及纵向化学成分无明显变化;当偏转电压为100 V时,HfO2薄膜晶粒尺寸及表面粗糙度分别达到最大值26.2 nm及5.79 nm,其后,随着偏转电压的降低,二者均逐渐减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田俊林	中国科学院光电技术研究所	4	16	3.0	4.0
5	熊胜明	中国科学院光电技术研究所	44	353	11.0	16.0
6	申林	中国科学院光电技术研究所	7	41	4.0	6.0
7	刘志国	中国科学院光电技术研究所	8	30	4.0	5.0