沉积速率和氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响

• 作者: 岑态 章岳光 陈卫兰 顾培夫
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 残余应力 HfO2薄膜 沉积速率 氧分压
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 唯象论的经典领域
• 页码范围: 7025-7029
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.058

摘要

采用ZYGO MarkⅢ-GPI数字波面干涉仪对以K9玻璃为基底的电子束蒸发方法制备的HfO2薄膜中的残余应力进行了研究,讨论了沉积速率、氧分压这两种工艺参量对HfO2薄膜残余应力的影响.实验结果表明:在所有的工艺条件下,薄膜的残余应力均为张应力;随着沉积速率的升高,氧分压的减小,薄膜的堆积密度逐渐增大,而残余应力呈减小趋势.同时用x射线衍射技术测量分析了不同工艺条件下HfO2薄膜的晶体结构,探讨了HfO2薄膜晶体结构是否会对其应力造成影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾培夫	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	141	1761	23.0	34.0
2	章岳光	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	40	424	12.0	20.0
3	岑态	复旦大学电光源与照明工程学系	1	6	1.0	1.0
4	陈卫兰	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	1	6	1.0	1.0