氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响及有限元分析

• 作者: 张丽莎 许鸿
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子束蒸发 HfO2薄膜 残余应力 氧分压 有限元分析
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 高功率激光与光学
• 页码范围: 894-898
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2124字
• 语种: 中文

摘要

利用电子束蒸发法制备了单层HfO2膜,控制氧气流量从0 mL/min以步长5 mL/min递增至25 mL/min(标况下).利用ZYGO干涉仪测量基片镀膜前后的面形变化,代入Stoney公式计算出残余应力,分析了不同氧压下残余应力的变化情况.随着氧压的增大,残余应力由张应力逐渐过渡到压应力,当氧压过大时,压应力减小.因此可以通过改变氧压来控制应力.应力的变化与薄膜的微观结构密切相关,分析了所有样品的X射线衍射图(XRD),发现均为非晶结构.利用Ansys建立基片-薄膜有限元模型,将应力作用下基片的形变与实验结果进行对比,验证所建立的模型,为分析HfO2/SiO2膜堆应力的匹配设计提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许鸿	中国科学院光电技术研究所	9	75	6.0	8.0